[컴퓨터구조] 메모리

메모리 셀

디지털 정보의 최소 단위인 1비트를 저장하는 숫자

메모리워드

1,2,4,8... 2의 n승 비트로 커지며 칩의 설계마다 다름

저장용량

저장매체에 저장된 정보비트의 수량

• 개별 메모리 칩은 대개 비트 단위로 표시
• 메인메모리용 램 모듈은 주로 바이트 단위로 표시

메모리뱅크

• 기억장치를 분할해 독립적으로 액세스할 수 있도록 구성한 논리적인 다위, 한번에 하나의 뱅크만 액세스
• 뱅크의 크기는 논리적이라 구성하기 나름이다. 메모리 칩 내부에도 여러 개의 뱅크를 가질 수 있다.

ROM

읽기 전용 메모리의 약자

보통의 방법으로는 읽을 수만 있다.

전원이 없어도 내용이 지워지지 않는 비휘발성 메모리

내용이 쉽게 변경되지 않아야 할 프로그램들 저장

• 시스템 시동과 관련된 초기화 프로그램, 진단 프로그램, 시스템에서 자주 호출하는 서브루틴, CPU 내부 제어장치의 마이크로 프로그램 등

RAM

일반적으로 데이터 보존을 위해 전원이 필요한 휘발성 메모리를 통칭하는 말

찾는 주소에 따라 액세스 타임이 일정한 메모리

반도체 메모리와 자기디스크 등 대부분의 기억장치

• 마스크 롬
  • 반도체 공정에서 마스크 필름으로 인쇄하듯 대량 생산하는 롬
• PROM
  • 퓨즈를 녹이면 끊어지는 구조로 한 번 프로그래밍 하면 지울 수 없음

EPROM

• 지우고 다시 쓰는 것이 가능
• 지울 때는 상단의 투명한 유리창을 통해 자외선으로 데이터를 일괄 소거, 기록할 때는 디지털에서 일반적으로 사용하는 전원보다 높은 12V를 사용

EEPROM

• 디지털회로에서 일반적으로 사용하는 5V이하의 낮은 전압으로 쓰고 지울 수 있음

플래시 메모리(flash memory)

대중 적인 비휘발성 램, EEPROM의 한 형태지만 과거 전통 방식 소자들과 구분되는 장점

• EEPROM과 달리 큰 블록 크기들을 사용할 수 있어 지우는 속도가 빠르고 일괄 소거 가능

플로팅게이트의 충전과 방전을 이용하여 1소자당 1비트인 간단한 구성

• NAND타입
  • 대용량이 요구되는 메모리카드 등
• NOR타입→버즈나 에어팟
  • EPROM을 대체하여 빠른 속도가 요구되는 기게어 코드 수준의 응용설계에 사용

SRAM & DRAM

SRAM

• 교차 결합 인버터의 스위칭을 이용하는 쌍안정 회로
• 트랜지스터 6개 정도로 1비트를 저장하는 안정된 static 저장구조, 전원공급받으면 리프레시 회로 필요없음
• DRAM 보다 비싸지만 액세스 타임이 빠름

DRAM

• 캐패시터의 충전과 방전을 이용해 트랜지스터 1개와 캐패시터 1비트를 저장하는 구조
• SRAM보다 가격이저렴, 안정적이지 못하고 동적(Dynamic)
• 셀 안의 저장 상태가 유지되도록 주기적으로 충전 전압을 올려주는 리프레시 회로 필요

DRAM구조

행주소를 지정하는 RAS (row address strobe)와 열주소를 지정하는 CAS(column address strobe)신호를 주소 선과 함께 보내 각 저장 위치의 주소를 완성( 행과 열이 꼭 대칭일 필요는 없다)

사이클 타임

메모리 용어에서 기억장치에서 연이은 액세스를 새로 시작하는데 걸리는 시간 간격

• SRAM → 사이클 타임 = 액세스 타임
• DRAM → 사이클 타임 = 액세스 타임 * 2

램 모듈

주로 컴퓨터의 메인메모리로 사용하기 위해 시스템보드에 장착하기 적합하도록 만들어진 부품

메모리랭크

• 공통의 버스에 연결되어 동시에 동작하는 칩들의 모임
• 주로 같은 칩 선택 신호에 연결되어 동시에 액세스가 가능 한 DRAM 칩들의 집합
• 메모리 칩들은 모두 같은 메모리 주소버스와 데이터 버스에 연결되지만 물리적으로 여러 랭크로 나눔